HDCJ沖擊電壓發(fā)生器 

三.使用條件:

    本沖擊電壓發(fā)生器試驗系統(tǒng)裝置主要適用于110kV及以下電力產(chǎn)品的雷電沖擊電壓全波，也可用于其它產(chǎn)品的沖擊試驗。
1.海拔高度不超過1500m
2.環(huán)境溫度：-15~+50℃
3.空氣相對濕度：≤90%
4.安裝使用地點：戶內(nèi)使用，可移動
5.必須設有一個屏蔽控制室及可靠接地點，接地電阻<1Ω!
6.沖擊發(fā)生器（型號：HDCJ-900/33.7）
  A.沖擊發(fā)生器主要技術參數(shù)
  B.標稱雷電波沖擊電壓：HDCJ-900kV
  C.標稱容量(能量)：33.75kJ
  D.級電容：0.6μF,100kV（MWF100kV-0.6μF）干式全絕緣封裝
  E.級電壓：±150kV 
  F.級數(shù)/級容量：5 / 6.75kJ
  G.輸出波形：±1.2/50μs標準雷電沖擊電壓全波，效率大于90%；
  H.同步范圍：大于20%
  I.使用持續(xù)時間：
    小于80%額定工作電壓時可連續(xù)工作
    大于80%額定工作電壓時可間斷工作
  J.幅值調(diào)節(jié)誤壓差小于1%，最低輸出電不大于10%設備標稱電壓。
  K.同步誤動率：小于1%
  L.底座:2m × 1.5m (腳輪移動)。
  高度:約3.5米。
  重量:約860kg。
7.沖擊電壓發(fā)生器的技術說明
  A.發(fā)生器的結(jié)構
  B.采用瑞士HAEFELY公司SGS系列的主回路設計，從而實現(xiàn)了整體超小型。
  C.采用每分鐘一轉(zhuǎn)的低速齒輪齒條傳動機構調(diào)整各級球隙，不僅無噪聲、磨損小，而且定位快速、準確。
  D.采用彈簧壓接、方便拔插的調(diào)波電阻固定機構，保證了接觸的可靠性，使輸出波形光滑無毛刺。
  E.配合IGCS2001控制系統(tǒng)的脈沖放大器可使同步球隙具有20%以上的觸發(fā)范圍，保證觸發(fā)的可靠性，控制方便可靠。
  F.同步球隙的觸發(fā)無極性效應，無須雙邊觸發(fā)。
8.主電容器
  A.主電容器采用高密度固體電容器，每臺電容量為0.6±0.05μF，直流工作電壓為±100kV，電容器固有電感小于0.2μH，重量輕，體積小，為國內(nèi)首創(chuàng)。
  B.電容器在正常工作狀態(tài)和工作環(huán)境下凹凸變形小于1mm。
  C.電容器為固體絕緣介質(zhì)和外殼干式全絕緣封裝，不存在漏油、變形等問題。
9.調(diào)波元件
  A.波頭、波尾電阻具有足夠的熱容量，可保證發(fā)生器長時間連續(xù)運行。
  B.充電電阻具有足夠的熱容量，可保證發(fā)生器長時間連續(xù)運行。
  C.波頭、波尾電阻采用板形結(jié)構，使用康銅絲無感繞制而成，外部采用絕緣樹脂真空澆鑄，接頭為彈簧壓接式，易于安裝。
  D.波頭、波尾電阻的連接頭采用3mm不銹鋼線切割制造。
  E.共有1組半波頭電阻、1組半波尾電阻用于雷電沖擊，另有1組充電電阻和保護電阻。
10.控制、保護系統(tǒng)
  采用IGCS2001型控制系統(tǒng)為沖擊電壓發(fā)生器主體部分提供各種控制，完全滿足沖擊試驗的各種控制 
功能。IGCS2001控制系統(tǒng)采用進口器件，與設備主體的連接采用兩芯光纜。
  A.IGCS2001全自動控制系統(tǒng)實現(xiàn)手動控制。專用軟件包可以與測量和波形分析用的峰值電壓表、示波器等配合使用，實現(xiàn)沖擊電壓試驗系統(tǒng)計算機測控一體化。
  B.控制系統(tǒng)具備以下控制功能：
  控制功能具有手動控制,各層次功能相對獨立，確保系統(tǒng)的可靠性。
  采用可控硅調(diào)壓方式，具有充電電壓反饋測量系統(tǒng)。
  點火球隙可手動，并在控制面板上顯示。
  采用函數(shù)控制恒流充電方式，充電電壓的穩(wěn)定度可達到0.5%。
  液晶面板可指示沖擊發(fā)生器的充電電壓，精度為1%。
  具有充電異常保護功能，手動發(fā)出觸發(fā)點火脈沖
  設備主體及充電部分接地和接地解除控制。
  手動控制充電電壓的充電過程
  手動響警鈴報警
  具有過電流和過電壓自動保護
  C.同步球隙第一級采用三電極球隙觸發(fā)，觸發(fā)范圍大于20%。
  D.安全接地系統(tǒng)
  E.采用電磁鐵自動接地機構通過一個接地電阻將發(fā)生器的第一級電容接地。
  F.接地操作與充電控制具有連鎖保護，確保操作安全正常。
11.主要配置的設備
A.整流充電電源（與沖擊本體一體化）
型    號:LGR-100/100
額定電壓:Un = 100kV DC (正或負極性)
額定電流:In = 100mA (額定電壓下)
電壓控制:可控硅模塊調(diào)壓，調(diào)壓范圍0～100% Un
極性轉(zhuǎn)換:手動變換高壓硅堆的方向
輸入電壓:220V 單相電壓
電源頻率:50/60 Hz 
電源消耗:約5kVA
B.弱阻尼電容分壓器
型    號:CR900kV/500pF
額定電壓:900kV
額定電容:500pF
電容節(jié)數(shù):2節(jié)
每節(jié)電容:1000pF（MWF375-1200脈沖電容器）
方波響應:部分響應時間小于100ns，過沖小于10%
分壓比:約500
分壓比不確定度:小于1%
C.測量設備
型    號:DIMS-1000數(shù)字化沖擊測量系統(tǒng)
幅值測量:HZ(IPM)23型沖擊峰值電壓表
輸入范圍：150V ～ 1600V（沖擊電壓）
測量不確定度：小于1%
波形測量:TDS1012C-SC數(shù)字示波器
最高采樣率1.0GS/s，帶寬大于100MHz，分辨率8bit
記錄長度2.5k字節(jié)（可滿足沖擊試驗要求），2通道
波形分析:工業(yè)控制計算機工作站（采用15寸液晶顯示屏）
沖擊測量專用軟件包：
沖擊波形參數(shù)計算及顯示
波形比較功能
波形的放大、縮小及平移
波形的存儲及調(diào)用
波形的成圖及報告編寫
附    件:高性能100倍專用衰減器1支
隔離濾波屏蔽設
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