萊姆IGBT全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)替代品易恩大功率IGBT靜態(tài)測(cè)試儀 

參數(shù)/條件

參  數(shù)

ENJ 35200 IGBT

ENJ 30200 IGBT

靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

靜態(tài)參數(shù)手動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

條  件

①柵極-發(fā)射極漏電流IGES

IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA

集電極電壓VCE: 0V

柵 極 電 壓 VGE: 20V ±3%±0.2V

②集電極-發(fā)射極電壓BVCES

集電極電壓VCES: 100-3500V±5%±10V（選配）

集電極電流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

100-3500V±5%±10V

100-3000V±5%±10V

柵 極 電 壓 VGE: 0V

③集電極發(fā)射極飽和電壓VCESAT

VCESAT:0.1-10V

柵極電壓 V G E : ±15V±2%±0.2V

集電極電流ICE: 10-200A±5%（選配）

10-200A±5%

10-200A±5%

④集電極-發(fā)射極截止電流ICES

集電極電流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA

100-3500V±5%

100-3000V±5%

集電極電壓VCE: 100-3500V±5%（選配）

柵 極 電 壓V G E : 0V

⑤柵極-發(fā)射極閥值電壓測(cè)試VGETH

VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V

VGE=VCE

集電極電流ICE: 30mA±3%

⑥二極管壓降測(cè)試VF

VF: 0.1-5V±3%±0.01V

柵極電壓VGE: 0V

電

流  I F : 10-200A±5%（選配）

10-200A±5%

10-200A±5%

導(dǎo)通電流  IC: 10-200A±5%

柵極電壓VGE:±15V±0.2V