桌面型離子濺射 磁控濺射 SEM掃描電鏡 電極制樣 真空鍍膜機(jī)儀
概述:
儀器簡介:
HM-ETD-2000C 濺射儀是依據(jù)二極(DC)直流濺射原理設(shè)計(jì)而成的,分為離子濺射和磁控濺射兩種。離子濺射離子密度低,鍍速較慢,能量分散,適合SEM樣品噴金,鍍鉑;磁控濺射離子密度高,鍍
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- 24000 元
儀器簡介:
HM-ETD-2000C 濺射儀是依據(jù)二極(DC)直流濺射原理設(shè)計(jì)而成的,分為離子濺射和磁控濺射兩種。離子濺射離子密度低,鍍速較慢,能量分散,適合SEM樣品噴金,鍍鉑;磁控濺射離子密度高,鍍速較快,能量集中,適合電極樣品的制備,如金、鉑、銀、銅、鈦等。HM-ETD-2000C濺射儀簡單、可靠、運(yùn)行成本低。滿足電鏡實(shí)驗(yàn)室的掃描電子顯微鏡(SEM)樣品制備和各種導(dǎo)體材料實(shí)驗(yàn)電極制作。
技術(shù)參數(shù):
配置參數(shù)如下:
- 儀器尺寸 : 400mm×300mm×400mm(L×W×H)
- 真空樣品室: 硼硅酸鹽玻璃 160mm×110mm(D×H)
- 靶(上部電極): 50mm×0.1mm(D×H)
- 磁控靶(上部電極): 50mm×0.1mm(D×H)
- 樣品臺(tái): 50mm (D)
- 操作真空: 4×10-1mbar至2×10-2mbar
- 工作電壓: 0-1600V (DC)可調(diào)
- 濺射電流: 0-50mA
- 濺射定時(shí): 1-9999S
- 真空泵: 4升兩級機(jī)械旋轉(zhuǎn)泵(極限真空2×10-2mbar)
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