ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng) 

概述:ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng),適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料,提高測(cè)量精度。
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ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng) 

技術(shù)特點(diǎn):

· 適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料,提高測(cè)量精度

· 溫度檢測(cè)采用C型熱電偶,最適合測(cè)量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型

· 真正可測(cè)基板上的納米級(jí)薄膜(TF型)

· 最大可測(cè)10MΩ高電阻材料

· 標(biāo)準(zhǔn)搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表

· 基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)

 

 

ZEM-5HT

ZEM-5HR

ZEM-5LT

ZEM-5TF

特  點(diǎn)

高溫型

高電阻型

最大電阻:10MΩ

低中溫型

薄膜型

可測(cè)在基板上形成的熱電薄膜

溫度范圍

RT-1200℃

RT-800℃

-150℃-200℃

RT-500℃

樣品尺寸

直徑或正方形:2 to 4 mm2 ;

長(zhǎng)度3 ~ 15mm

成膜基板:寬2-4mm,厚0.4-12mm,長(zhǎng)20mm

薄膜厚度:≥nm量級(jí)

薄膜樣品與基板要求絕緣

控溫精度

                                       ±0.5K

測(cè)量精度

                塞貝克系數(shù):<±7%;       電阻系數(shù):<±7%

測(cè)量原理

                塞貝克系數(shù):靜態(tài)直流電;           電阻系數(shù):四端法

測(cè)量范圍

              塞貝克系數(shù):0.5μV/K_25V/K;     電阻系數(shù):0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ

分辨率

                塞貝克系數(shù):10nV/K;             電阻系數(shù):10nOhm

氣  氛

減壓He

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