模塊
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富士IGBT模塊2MBI150U4A-120 2MBI150U4H-120 6MBI150U4B-170
[中介]6MBI100U4B-170 6單元，100A/1700V
6MBI150U4B-170 6單元，150A/1700V
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
富士IGBT模塊2MBI200S-120 2MBI100PC-140 2MBI300P-140
[中介]1MBI300S-120 1單元，300A/1200V
1MBI400S-120 1單元，400A/1200V
2MBI75P-140 2單元，75A/1400V
[全國 可控硅(晶閘管)] 福建/泉州 福建省泉州市
三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
[中介]采用CSTBTTM硅片技術的第6代IGBT 寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性 最優(yōu)的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結溫可達175°C 新型無焊接Al基板，提供更高的溫度循環(huán)能力（DTc）內部硅片分布均勻，Rth(j-
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三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
[中介]采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓撲結構內部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強具有競爭力的性價比有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術 LPT結構用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用額定電流定義比市場上同類產品高一個等級外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過調整底板和
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三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術飽和壓降低、短路承受能力強、驅動功率小比同等級其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內置導熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
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三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術，損耗低硅片結溫可高達175°C 硅片運行溫度最高可達150°C 內部集成NTC測溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊
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